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2階フロア

NTT技術のひろがり(基礎・基盤)

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4.ディジタル技術とマルチメディアの時代(1980年代半ばから)

E.アクセス系システムと所外インフラの技術(線路、伝送、無線)

E.アクセス系システムと所外インフラの技術(土木)

F.ユーザ機器の技術

G.NTT技術のひろがり(基礎・基盤)

G.NTT技術のひろがり(ソフトウェア、国際標準化、海外活動、環境保護推進)

II.アクセスとターミナルのひろば

NTT技術のひろがり(基礎・基盤)のフロアの写真

光ファイバ方式の基礎を築いたVAD法

光伝送が基本となる21世紀のネットワーク。光ファイバ伝送方式の発展へのNTTの貢献の基本的なものに、VAD法の開発と波長1.5μmの低損失帯の発見があります。VAD法(気相軸付け法)は、気体の原料を酸水素炎の中で反応させる工程とそれを透明化する工程の組み合わせ。これによって高純度のファイバ用ガラス母材を量産化する道が開けました。

NTTのR&D体制と基礎・基盤研究

電機通信研究所に遡るNTTのR&Dの歴史をみると、組織の変遷に開発課題の移り変わりを興味深く読みとることができます。そのなかで、基礎・基盤研究は実用化研究のために欠かせないものとして、一貫して位置づけられてきたことが分かります。基礎・基盤研究には、光エレクトロニクス、マイクロエレクトロニクス、材料基礎、情報基礎といった分野があります。

光エレクトロニクス

光伝送方式の実用化には、光ファイバとレーザ発光素子、受光素子の開発が必要でした。この分野の成果には、VAD法によるファイバ製造技術をはじめ、各種の長波長レーザ発光素子の開発が光の時代を開きました。新しいところでは、光コネクタ技術、波長多重を実現する石英平面光波回路、光スイッチ、光増幅器などがあります。

マイクロエレクトロニクス

パッシブ素子ではアナログの時代に高い周波数の開拓と多重化の進展に貢献したBLコンデンサ(境界層磁器コンデンサ)があります。アクティブ素子では、黎明期の点接触や合金接合形のトランジスタから、MOS技術、超高速デバイス技術、低消費電力LSI技術、集積度の飛躍的な向上を実現したプロセス技術や半導体結晶成長技術などに至ります。

材料基礎科学

マイクロエレクトロニクスや光エレクトロニクスの基礎となる研究が、原子、電子、光子のレベルで進んでいます。量子力学に基づく光の研究、自然光放出制御ダイオード、半導体薄膜成長技術やさまざまな新物質の探求などです。

情報基礎科学

マルチメディア時代の開拓に、情報基礎の研究は、大きな役割を果たしてきました。PARCORなどの音声分析合成法、各種の知能処理マシン、暗号方式など、多彩な研究が展開されてきました。

展示概要

右から大型光ファイバ母材、VAD法光ファイバ母材製造装置、透明化装置の写真
大型光ファイバ母材、VAD法光ファイバ母材製造装置、透明化装置(右から)

NTTの基礎・基盤研究
光ファイバ製造技術<VAD法>の開発

長さ2,000kmのファイバになる母材。VAD法光ファイバ母材製造装置と透明化装置。
VAD法を映像でわかりやすく解説。

基礎・基盤研究体制の変遷と基礎・基盤研究

R&D体制の歩みと基礎・基盤研究の変遷。超高精細静止画装置(SHD)によるNTTのR&Dグラフィティ。

光エレクトロニクスの写真
光エレクトロニクス

基礎・基盤研究の歩み
光エレクトロニクス

その系譜と主要な成果から。光ファイバ、長波長用レーザ、受光用素子、平面光波回路、光増殖器、光コネクタなど。

マイクロエレクトロニクスの写真
マイクロエレクトロニクス

マイクロエレクトロニクス

その系譜と主要な成果から。BLコンデンサ。黎明期の半導体技術、超高速デバイス、低消費電力LSI、プロセス技術など。

材料基礎科学の写真
材料基礎科学

材料基礎科学

その系譜と主要な成果から。自然放出制御ダイオード、スクイーズド光発生、MEE薄膜成長法、新物質の研究。

情報基礎科学の写真
情報基礎科学

情報基礎科学

その系譜と主要な成果から。音声合成・分析(PARCORとLSP)、知能処理マシン(TAO/ELIS)、暗号処理(FEAL)など。

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